IHSM7832EB822L相关型号

• IDT70V657S12DRI
  存储器
  IDT, Integrated Device Technology Inc
  208-BFQFP
  IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP
  
• LGY2V101MELZ
  电容器
  Nichicon
  径向，Can - 卡入式
  CAP ALUM 100UF 350V 20% SNAP
  
• IMC1812ER150K
  固定式
  Vishay Dale
  INDUCTOR WW 15UH 10% 1812
  
• GS4901BCNE3
  时钟/计时 - 专用
  Semtech
  64-VFQFN 裸露焊盘
  IC CLOCK GEN SYNTHESIZER
  
• DSP2A-DC5V-R
  功率，高于 2 安
  Panasonic Electric Works
  TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
  
• IHSM5832RF681L
  固定式
  Vishay Dale
  非标准
  INDUCTOR POWER 680UH 0.43A SMD
  
• DS1221S
  存储器 - 控制器
  Maxim Integrated
  16-SOIC（0.295＂，7.50mm 宽）
  IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-SOIC
  
• GRM31MR72A154KA01L
  陶瓷
  Murata Electronics North America
  1206（3216 公制）
  CAP CER 0.15UF 100V 10% X7R 1206
  
• IDT70V658S12BFI8
  存储器
  IDT, Integrated Device Technology Inc
  208-LFBGA
  IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA
  
• LGY2V151MELZ
  电容器
  Nichicon
  径向，Can - 卡入式
  CAP ALUM 150UF 350V 20% SNAP
  
• GSA 1
  保险丝
  Bel Fuse Inc
  3AB，3AG，1/4＂ x 1-1/4＂
  FUSE 1A 250V SLOW CERAMIC GSA
  
• DSP30-24
  AC DC 转换器
  TDK-Lambda Americas Inc
  TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  PWR SUP DIN RAIL 24V 31.2W 1.3A
  
• IHSM7832EB2R7L
  固定式
  Vishay Dale
  非标准
  INDUCTOR POWER 2.7UH 8.2A SMD
  
• IMC1812ER1R5J
  固定式
  Vishay Dale
  1812（4532 公制）
  INDUCTOR WW 1.5UH 5% 1812
  
• DS1225AB-85+
  存储器
  Maxim Integrated
  28-DIP 模块（0.600＂，15.24mm）
  IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
  
• LGY2V820MELZ
  电容器
  Nichicon
  径向，Can - 卡入式
  CAP ALUM 82UF 350V 20% SNAP
  
• IDT70V659S10BC
  存储器
  IDT, Integrated Device Technology Inc
  256-LBGA
  IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA
  
• GRM31MR72A333MA01L
  陶瓷
  Murata Electronics North America
  1206（3216 公制）
  CAP CER 0.033UF 100V X7R 1206
  
• GSA 1.6-R
  保险丝
  Bel Fuse Inc
  3AB，3AG，1/4＂ x 1-1/4＂
  FUSE 1.6A 250V SLOW UL CERM
  
• DSP56303VL100B1
  嵌入式 - DSP（数字式信号处理器）
  Freescale Semiconductor
  196-LBGA
  IC DSP 24BIT 100MHZ 196-BGA
  
• IMC1812ER221K
  固定式
  Vishay Dale
  1812（4532 公制）
  INDUCTOR WW 220UH 10% 1812
  
• DS1225AD-150+
  存储器
  Maxim Integrated
  28-DIP 模块（0.600＂，15.24mm）
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
  
• LGY2W151MELB
  电容器
  Nichicon
  径向，Can - 卡入式
  CAP ALUM 150UF 450V 20% SNAP
  
• GRM31MR72A683KA01L
  陶瓷
  Murata Electronics North America
  1206（3216 公制）
  CAP CER 0.068UF 100V X7R 1206
  
• IDT70V659S12BFGI
  存储器
  IDT, Integrated Device Technology Inc
  208-LFBGA
  IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA
  
• GSA 375-R
  保险丝
  Bel Fuse Inc
  3AB，3AG，1/4＂ x 1-1/4＂
  FUSE 375MA 250V SLOW UL CERM
  
• IMC1812ER330K
  固定式
  Vishay Dale
  1812（4532 公制）
  INDUCTOR WW 33UH 10% 1812
  
• IHSM7832ER100L
  固定式
  Vishay Dale
  INDUCTOR POWER 10UH 5.0A SMD
  
• DSP56311VL150R2
  嵌入式 - DSP（数字式信号处理器）
  Freescale Semiconductor
  196-LBGA
  IC DSP 24BIT 150MHZ 196-MAPBGA
  
• DS1225AD-150IND+
  存储器
  Maxim Integrated
  28-DIP 模块（0.600＂，15.24mm）
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
  
• LGY2W221MELB
  电容器
  Nichicon
  径向，Can - 卡入式
  CAP ALUM 220UF 450V 20% SNAP
  
• IDT70V659S12DRGI
  存储器
  IDT, Integrated Device Technology Inc
  208-BFQFP
  IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP
  
• GRM3297U2A302JZ01D
  陶瓷
  Murata Electronics North America
  1210（3225 公制）
  CAP CER 3000PF 100V 5% U2J 1210
  
• GSA.8821.B301721
  RF 天线
  Taoglas Limited
  3AB，3AG，1/4＂ x 1-1/4＂
  PENTA BAND GSM I BAR
  
• IMC1812ER820K
  固定式
  Vishay Dale
  INDUCTOR WW 82UH 10% 1812
  
• IHSM7832ER102L
  固定式
  Vishay Dale
  INDUCTOR POWER 1000UH .51A SMD
  
• DSP56321VF200R2
  嵌入式 - DSP（数字式信号处理器）
  Freescale Semiconductor
  196-FBGA
  IC DSP 24BIT 200MHZ 196-BGA
  
• LGY2W680MELA
  电容器
  Nichicon
  径向，Can - 卡入式
  CAP ALUM 68UF 450V 20% SNAP
  
• DS1225AD-200+
  存储器
  Maxim Integrated
  28-DIP 模块（0.600＂，15.24mm）
  IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
  
• GRM329F51C106ZA12D
  陶瓷
  Murata Electronics North America
  1210（3225 公制）
  CAP CER 10UF 16V Y5V 1210